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Eugene Technology
084370.KQ · 机构持仓 × 产业链定位本标的暂无大佬观点覆盖,以机构共识与产业逻辑为准
Eugene Technology在AI链中提供LPCVD、ALD、等离子处理和干法清洗等前道薄膜设备,受益于HBM、先进DRAM和3D NAND对高一致性薄膜的需求,但受韩国存储客户资本开支、国际沉积设备龙头挤压和客户认证周期约束。
数据截至 2026-06-20
财报与关键数据 · 数据采集中心
真财报 + 13F + 信号
SEC XBRL · 截至 2026-06-20✓聪明钱看点
- 观察Samsung、SK hynix在HBM、先进DRAM和3D NAND扩产中是否增加Eugene的LPCVD、ALD和迷你批量ALD订单。
- 观察公司是否获得Micron、Intel等非韩国客户认证,或在先进薄膜步骤披露更高端平台的量产交付。
⚠口径风险
- 沉积设备具体份额通常不公开,外部只能通过订单公告、客户扩产、产品认证和收入结构间接验证。
- ALD/CVD设备高度受客户工艺路线影响,同一薄膜需求增长不必然等于Eugene份额提升。
·
利润率数据待补
Eugene Technology在AI产业链依赖谁、被谁依赖、和谁竞争?
上游 / 下游 / 竞品上游
-
MKS Instruments -
Entegris -
Merck KGaA -
VAT Group -
Edwards Vacuum
下游
-
Samsung Electronics -
SK hynix -
Micron Technology -
Intel
竞品
-
Kokusai Electric -
ASM International -
Applied Materials -
Tokyo Electron -
Lam Research
Eugene Technology靠哪些产品/平台支撑营收?
含收入贡献 / 量产状态 公司核心产品线之一,量产导入取决于客户薄膜均匀性和工具匹配要求。
BlueJay-e
紧凑型单片热LPCVD平台Phoenix
等离子增强ALD平台Mini Batch ALD
迷你批量ALD设备Plasma Treatment System
等离子处理设备Dry Cleaning System
干法清洗设备 · ·
| 口径 |
|---|
供应链上每个环节的上行/下行情景是什么?
·ALD/CVD前驱体与高纯气体
依赖依赖高纯前驱体、反应气体、惰性气体和材料供应商的稳定供给。
↑材料体系更成熟、纯度和交付稳定提升时,Eugene可更快完成客户薄膜配方验证。
↓前驱体受限、成本上升或材料兼容性不足时,设备量产导入和客户单片成本都会受压。
真空腔体与温控系统
依赖依赖真空阀、泵、加热器、温控模块和腔体加工质量。
↑腔体温度均匀性和压力控制提升,可改善薄膜厚度均匀性、重复性和工具匹配。
↓温控漂移、腔体颗粒或真空不稳会直接削弱先进DRAM/NAND客户认证。
韩国存储扩产
依赖依赖Samsung和SK hynix在HBM、DRAM、NAND上的新线建设与技术改造。
↑AI服务器拉动HBM和高端DRAM扩产时,更多介质膜、阻挡层或钝化层步骤需要LPCVD/ALD设备。
↓存储价格下行、客户削减资本开支或推迟技术迁移,会导致沉积设备订单递延。
批量ALD与单片ALD路线选择
依赖依赖客户在吞吐、膜质、热预算和良率之间选择批量、迷你批量或单片平台。
↑若存储客户更重视高吞吐和成本,Eugene的炉管型、迷你批量或存储定制平台更容易放量。
↓若关键步骤转向更高端单片ALD或由ASM、AMAT等平台垄断,Eugene份额会受限。
海外客户认证
依赖依赖工艺工程团队、售后服务、备件网络和长期联合开发能力。
↑进入Micron、Intel或更多代工客户量产名单,可降低对韩国存储周期的依赖。
↓认证周期拉长或现场服务不足,会让技术储备难以转化为重复订单。
知识产权与技术并购整合
依赖依赖既有ALD/CVD技术积累、专利布局以及历史并购资产的持续消化。
↑若并购技术和自研平台形成可复制产品,Eugene可在存储ALD/CVD中提升议价力。
↓若专利、核心模块或工艺窗口被国际大厂卡住,客户会倾向选择更成熟供应商。
完整历史 = Pro
| 持有主体 | 披露市值 | 权重 | 来源 · as_of |
|---|
和主要同业的定位差在哪?
·| 公司 | 定位 | 关键差异 |
|---|---|---|
| 韩国LPCVD、ALD、等离子处理和干法清洗设备厂,重点服务存储客户。 | 贴近韩国存储工艺开发,成本和响应速度具优势;短板是全球客户覆盖和平台广度弱于国际龙头。 | |
| 批量热处理、CVD和ALD设备强者,存储客户基础深。 | 在炉管型和批量处理经验上更成熟,是Eugene最直接的高端存储薄膜竞争对手。 | |
| ALD和外延沉积领先厂商,先进逻辑与存储高端步骤优势明显。 | ASM在高端单片ALD和先进节点客户认证上更强,Eugene更多在韩国存储定制化与成本效率上竞争。 | |
| 全球综合沉积设备龙头,覆盖CVD、PVD、ALD、外延和工艺控制。 | AMAT可用完整产品组合和联合开发锁定客户预算,Eugene需在特定薄膜步骤证明性能和CoO优势。 | |
| 日本前道设备平台厂,热处理、沉积、刻蚀和涂胶显影布局全面。 | TEL在客户认证和多设备协同方面更稳,Eugene优势在韩国本土支持和存储薄膜细分突破。 |
什么公开信号会推翻当前叙事?(反证阈值,非预测)
- ⚠Samsung或SK hynix公开的新一代HBM、DRAM或NAND产线沉积设备采购中,Eugene关键LPCVD/ALD平台未进入量产供应名单。
- ⚠公司披露主要客户验收延期、退货或订单取消,原因指向薄膜均匀性、颗粒、热预算或设备稼动率不达标。
- ⚠Kokusai、ASM、Applied Materials或Tokyo Electron在韩国存储客户中获得Eugene原有薄膜步骤的替代性大额订单。
- ⚠先进存储工艺路线减少Eugene优势步骤的LPCVD/批量ALD使用强度,转向单片高端ALD或其他沉积路线。
- ⚠关键前驱体、温控、真空或射频部件供应瓶颈持续影响交付,导致公司交期明显落后于同业。
- ⚠公司海外客户收入和服务网络长期没有扩张迹象,同时收入继续高度集中于少数韩国存储客户。
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